FIB a TEM Uwch Ar gyfer Dadansoddi Wafferi

Dadansoddiad Sglodion Proses Uwch

Dadansoddiad cynhwysfawr o'r haenau metel, haenau M0, strwythurau FinFET, ac ati, o sglodion proses uwch 7nm ac is a weithgynhyrchir ac a ddyluniwyd gan gwmnïau gweithgynhyrchu a dylunio sglodion. Defnyddir y dadansoddiad hwn i wirio sefydlogrwydd technolegau proses uwch a nodau proses allweddol, a gellir ei ddefnyddio hefyd ar gyfer dadansoddi cystadleuwyr a pheirianneg wrthdroi.

Wrth i brosesau gweithgynhyrchu cylched integredig barhau i wella, mae'r niferoedd sy'n cynrychioli nodau proses allweddol yn mynd yn llai ac yn llai, megis o brosesau 65nm a 40nm i brosesau 22nm, 14nm, 7nm, 4nm, a 3nm. Mae niferoedd nodau llai yn dynodi prosesau mwy datblygedig, sy'n golygu integreiddio rheolaeth grisial well, cyflymder prosesu cyflymach, a defnydd pŵer is; fodd bynnag, mae hefyd yn golygu mwy o gymhlethdod strwythur mewnol y sglodion, dimensiynau strwythurol allweddol llai, a datblygiad graddol tuag at ddimensiynau nanoscale na ellir eu harsylwi gan dechnegau delweddu microsgopig cyffredinol (fel microsgopau optegol).

Oherwydd bod angen i samplau TEM fod yn denau iawn er mwyn i electronau dreiddio a ffurfio patrymau diffreithiant, mae sputtering effeithlon FIB yn caniatáu ar gyfer prosesu samplau yn fanwl; felly, defnyddir FIB yn aml ar gyfer optimeiddio paratoi samplau TEM ultrathin.

Mae GRGTEST Metrology yn meddu ar dechnolegau patent gan gynnwys dulliau ar gyfer dileu effaith llen y trawst ïon â ffocws FIB, dull strwythur fframwaith newydd ar gyfer paratoi samplau ultrathin TEM sensitif gwres gan ddefnyddio DB FIB, dull teneuo cam FIB ar gyfer paratoi samplau TEM ultrathin o ddeunyddiau brau a hawdd eu cracio, dull pelydr ïon ffocysedig ar gyfer pelydriad uwch-sensitif. mân-strwythur samplau wafferi, a dull o baratoi samplau TEM gan ddefnyddio torri gwrthdro FIB. Mae'r technolegau hyn yn galluogi -delweddau TEM cydraniad uchel heb unrhyw niwed i belydr electron, gan gyflawni nodweddiad morffolegol cydraniad atomig a dadansoddiad cyfansoddiadol o sglodion proses uwch.

Dadansoddiad FA sglodion - 3D TEM Method

Tagiau poblogaidd: uwch fib & tem ar gyfer dadansoddi wafferi, Tsieina uwch fib & tem ar gyfer darparwr gwasanaeth dadansoddi wafferi